Производство осуществляется с помощью 3D печати.
Samsung продолжает толкать границу технологий вверх. На этот раз компания объявляет о серийном выпуске нового накопителя SATA шестого поколения. Ёмкость будет равна 250 Гб, а внутри расположен 256 Гб 3-разрядный V-NAND. По данным корейских производителей, в производстве используется технология травления канала, что привело к увеличению новых слоёв V-NAND на 40% - в прошлой версии было около 90 слоёв, а в этой уже 136.
В производстве активно используется 3D печать для воспроизведения небольших деталей в больших количествах, а это приводит к возможности быстрого наращивания производственных мощностей. Плюс новая линейка памяти отличается более высокой скоростью и энергоэффективностью. Скорость разработки новых продуктов позволит компании быстро расширить рыночную нишу и приступить к базе V-NAND на 256 Гб.
Чем больше высота стека ячеек накопителя, тем чаще будут появляться ошибки памяти и тем медленнее данные будут считываться. Для преодоления пришлось разработать другую схему, которая обеспечила необходимую скорость: менее 450 мкс (микросекунд) на запись и 45 мкс на чтение. Прирост производительности составил 10% по сравнению с прошлым поколением. Энергии потребляется на 15% меньше по сравнению с предшественником.
Эти возможности помогут компании расширять рынок до переносимых девайсов следующего поколения и серверов для корпораций. В планах ещё и «захват» надёжного автомобильного рынка. Кстати, до конца года будет представлен ещё один накопитель в этой линейке и уже на 512 Гб.
Возможность быстрого выхода на множество рынков с накопителями 6 поколения ещё до того, как основные конкуренты туда доберутся, а ещё и с низкой ценой из-за 3D печати, может обеспечить Samsung серьёзное преимущество и возможное доминирование на рынке.
